焊接溫度：實際焊接最高溫度≤600℃。

真空度：極限真空度≤10 Pa 工作真空50Pa-200Pa。

有效焊接面積：≤380mm*310mm

爐膛高度： 100mm。

加熱方式：采用底部紅外輻射加熱+頂部紅外輻射加熱，熱板采用半導體級石墨鍍碳化硅平臺，石墨鍍碳化硅平臺長期使用不易變形，而且具有很高導熱性，使熱板表面溫度更加均勻。

溫度均勻性：有效焊接面積內≤±2%。

升溫速率：最大升溫速率120℃/min。

V4D冷熱分離真空共晶爐配置了上加熱，提高加熱效率的同時，使平臺溫度更加均勻，提高焊接一致性及質量。

冷卻速率：最大冷卻速率120℃/min（空載最高溫-150℃范圍）。

碳化硅加熱平臺：采用氣冷+水冷結合冷卻方式，實現熱板的快速冷卻，提高降溫速率，并且實現在降溫過程中溫差過大造成器件燒結不良。

滿足各種焊料（≤450℃）的焊接要求。

例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2

等預成型焊片（可無助焊劑共晶焊接）和各種成份的焊膏。

焊接空洞率：

V4D冷熱分離真空共晶爐在軟釬焊料焊接時，經過大量客戶驗證，空洞率可控制在2%以下。

可選正壓模塊： ? ?

設備可以選配正壓模塊≤0.2Mpa，可滿足正壓、負壓工藝要求。正壓工藝可有效解決微小器件在焊接過程中移位問題（MiniLED、MicroLED等）、解決焊膏工藝助焊劑飛濺問題（引線框架類產品）。

控溫系統及測溫系統

V4D冷熱分離真空共晶爐采用先進的控溫技術，控溫精度在±1℃。

V4D冷熱分離真空共晶爐溫度曲線可設定最多40段溫度，并配置3組PID（6組可選）設定，更精準控制溫度，保證焊接一致性及可靠性。溫度控制屬于滯后控，而PID控制是具有超前調節的作用，可提高控溫精度以及穩定性。

V4D冷熱分離真空共晶爐腔體內標配2組測溫熱電偶，設備工作時可實時反饋腔體內任意位置的溫度，并在控制軟件中實時顯示測溫的溫度曲線，更好的保證焊接區域的溫度控制，為取得良好的工藝曲線提供支持。

腔體氣氛環境

V4D冷熱分離真空共晶爐可充入氮氣惰性氣體輔助焊接，同時滿足甲酸、氮氫混合氣體（5%氫氣95%氮氣）還原氣氛工藝。工藝氣氛可由時間或者由MFC質量流量計精準控制，保證每次設定工藝完成的一致性。滿足無助焊劑情況下焊接。

V4D冷熱分離真空共晶爐配置軟件控制系統：

軟件控制系統基于Windows操作系統，操作簡單。

可通過溫度、時間、壓力、真空等工藝條件進行工藝編程，軟件工藝自動控制整個工藝過程。

工藝曲線編程的工藝動作無限多個，滿足復雜工藝要求。

控制系統滿足各種焊接工藝曲線，并根據工藝不同進行設定、修改、存儲、調用。

控制系統自帶分析功能，能對工藝曲線進行分析，確定升溫、恒溫、降溫等信息。

軟件控制系統自動的實時記錄焊接工藝及控溫、測溫曲線，保證器件工藝的可追溯性，按照工藝工作時間自動存儲在相應目錄。?

V4D冷熱分離真空共晶爐采用全自動閉合式腔體結構，保證長期使用的可靠性，使用過程中上蓋自動關閉時不會造成器件移位，避免器件震動影響焊接質量。單腔室工藝同時滿足加熱和冷卻的要求。

V4D冷熱分離真空共晶爐，上蓋帶有視窗，可通過顯微鏡觀察器件燒結過程。上蓋自動升降，除手工取放件外，其它操作軟件自動控制完成。

V4D加熱板為純材質，沒有增加冷水管等結構，溫度更加均勻。

V4D冷卻方式采用中科同志水冷卻技術，加熱時水冷不影響熱場的溫度均勻度，冷卻時每個加熱板有六組獨立的水冷裝置，冷卻時溫度均勻度更高。特別適合金錫共晶、銦焊料共晶的高質量封裝焊接。

【標 ?配】

1、主機一臺 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 2、工業級控制電腦一臺 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 3、真空燒結爐控制軟件系統一套 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 4、氮氣氣氛系統、甲酸氣氛系統

5、MFC質量流量計一臺 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 6、石墨鍍碳化硅加熱平臺

【選 ?配】

1、真空泵（機械干泵） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 2、分子泵系統 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 3、氮氫數字化混合氣氛系統 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 4、正壓模塊

5、CCD視覺/顯微鏡 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 6、氮氫混合氣氣氛